二、考试要求
（一）半导体的晶格结构和电子状态
1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。
2．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。
3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。
4．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。
5．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。
6．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。
7．了解III－V族化合物半导体的能带结构。
8．了解II－VI族化合物半导体的能带结构。
（二）半导体中杂质和缺陷能级
1．理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。
2．简单计算浅能级杂质电离能。
3．了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。
4．了解III－V族化合物中杂质能级的概念。
5．理解点缺陷、位错的概念。
（三）半导体中载流子的统计分布
1．深入理解并熟练掌握状态密度的概念和表示方法。
2．深入理解并熟练掌握费米能级和载流子的统计分布。
3．深入理解并熟练掌握本征半导体的载流子浓度的概念和表示方法。
4．深入理解并熟练掌握杂质半导体的载流子浓度的概念和表示方法。
5．理解并掌握一般情况下的载流子统计分布。
6．深入理解并熟练掌握简并半导体的概念，简并半导体的载流子浓度的表示方法，简并化条件。了解低温载流子冻析效应、禁带变窄效应。
（四）半导体的导电性
1．深入理解迁移率的概念。并熟练掌握载流子的漂移运动，包括公式。
2．深入理解载流子的散射的概念。
3．深入理解并熟练掌握迁移率与杂质浓度和温度的关系，包括公式。
4．深入理解并熟练掌握电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，包括公式。
5．深入理解电导率的统计理论。并熟练掌握玻尔兹曼方程。
6．了解强电场下的效应和热载流子的概念。
7．了解多能谷散射概念和耿氏效应。
（五）非平衡载流子
1．深入理解非平衡载流子的注入与复合的概念，包括表达式。
2．深入理解非平衡载流子的寿命的概念，包括表达式、能带示意图。
3．深入理解准费米能级的概念，包括表达式、能带示意图。
4．了解复合理论，理解直接复合、间接复合、表面复合、俄歇复合的概念，包括表达式、能带示意图。
5．了解陷阱效应，包括表达式、能带示意图。
6．深入理解并熟练掌握载流子的扩散运动，包括公式。
7．深入理解并熟练掌握载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式。并能灵活运用。
8．深入理解并熟练掌握连续性方程式。并能灵活运用。
（六）p-n结
1．深入理解并熟练掌握p-n结及其能带图，包括公式、能带示意图。
2．深入理解并熟练掌握p-n结电流电压特性，包括公式、能带示意图。
3．深入理解p-n结电容的概念，熟练掌握p-n结电容表达式、能带示意图。
4．深入理解雪崩击穿、隧道击穿热击穿的概念。
5．了解p-n结隧道效应